Уважаемые покупатели!
Стоимость товаров может отличаться. Уточняете цену по телефону: 8 (800) 100-53-73.
После офрмления заказа на сайте, наш менеджер свяжется с вами для уточнения цены, условий оплаты и доставки
Артикул 125412

MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)

MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
0 оценок
0
0
0
0
0
0
Рейтинг
Недавно просмотренные
Мы используем файлы cookie. Продолжив использование сайта, Вы соглашаетесь с политикой использования файлов cookie, обработки персональных данных и конфиденциальности. Подробнее